内存知识详解-CL设置

    内存负责向 CPU 提供运算所需的原始数据，而目前 CPU 运行速度超过内存数据传输速度很多。因此，很多情况下，CPU 都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU 等待时间”。内存传输速度越慢，CPU 等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存，是有效提升 CPU 效率和整机性能的关键之一。

　　在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说，就是传输前，传输双方必须要进行必要的通信，而这样就会造成传输的一定延迟时间。CL 设置一定程度上反映出了该内存在 CPU 接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出，同频率的内存，CL 设置低的，更具有速度优势。

　　上面只是给大家建立一个基本的 CL 概念。而实际上，内存延迟的基本因素，绝对不止这些。内存延迟时间，有个专门的术语叫“Latency”。要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个 EXCEL 表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后，该数据就唯一了。内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个 RAS 信号（Row Address Strobe，行地址信号）就被激活，而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来 CAS 信号（Column Address Strobe，列地址信号）被激活。在 RAS 信号和 CAS 信号之间的几个执行周期，就是 RAS-to-CAS 延迟时间。在 CAS 信号被执行之后，同样也需要几个执行周期。此执行周期在使用标准 PC133 的 SDRAM 大约是 2―3 个周期；而 DDR RAM 则是 4―5 个周期。在 DDR 中，真正的 CAS 延迟时间则是 2―2.5 个执行周期。RAS-to-CAS 的时间，则视技术而定，大约是 5―7 个周期，这也是延迟的基本因素。 

　　CL 设置较低的内存，具备更高的优势，这可以从总的延迟时间来表现。内存总的延迟时间有一个计算公式，总延迟时间＝系统时钟周期×CL模式数＋存取时间（tAC）。首先，来了解一下存取时间（tAC）的概念。tAC 是 Access Time from CLK 的缩写，是指最大 CAS 延迟时的最大数输入时钟，是以纳秒为单位的，与内存时钟周期是完全不同的概念，虽然都是以纳秒为单位。存取时间（tAC）代表着读取、写入的时间，而时钟频率则代表内存的速度。

　　举个例子，来计算一下总延迟时间。比如，一条 DDR333 内存，其存取时间为 6ns，其内存时钟周期为 6ns（DDR内存时钟周期＝1X2/内存频率，DDR333 内存频率为 333，则可计算出其时钟周期为 6ns）。我们在主板的 BIOS 中，将其 CL 设置为 2.5，则总的延迟时间＝6ns X2.5＋6ns＝21ns。而如果 CL 设置为 2，那么总的延迟时间＝6ns X2＋6ns＝18ns，就减少了 3ns 的时间。

　　从总的延迟时间来看，CL 值的大小起到了很关键的作用。所以，对系统要求高和喜欢超频的用户，通常喜欢购买 CL 值较低的内存。目前，各内存颗粒厂商除了从提高内存时钟频率来提高 DDR 的性能之外，已经考虑通过更进一步的降低 CAS 延迟时间，来提高内存性能。不同类型内存的典型 CL 值并不相同。例如，目前典型 DDR 的 CL 值为 2.5 或者 2，而大部分 DDR2 533 的延迟参数都是 4 或者 5，少量高端 DDR2 的 CL 值可以达到 3。 

　　不过，并不是说 CL 值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。例如，新一代处理器的高速缓存较有效率，这表示处理器比较少地直接从内存读取数据。再者，列的数据会比较常被存取，所以 RAS-to-CAS 的发生几率也大，读取的时间也会增多。最后，有时会发生同时读取大量数据的情形，在这种情形下，相邻的内存数据会一次被读取出来，CAS 延迟时间只会发生一次。

　　选择购买内存时，最好选择同样 CL 设置的内存。因为不同速度的内存，混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当 CL 2.5 和 CL 2 的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在 CL 2.5 状态，造成资源浪费。

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