日本半导体分立器件型号命名方法
作者:佚名 来源:本站整理 发布时间:2012-09-15-01:23:47 标签:
日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:
第一部分:用数字表现器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标记。S-表现已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表现器件利用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P把持极可控硅、G-N把持极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分:用数字表现在日本电子工业协会JEIA登记的次序号。两位以上的整数-从“11”开端,表现在日本电子工业协会JEIA登记的次序号;不同公司的性能雷同的器件可以利用同一次序号;数字越大,越是近期产品。
第五部分: 用字母表现同一型号的改良型产品标记。A、B、C、D、E、F表现这一器件是原型号产品的改良产品。
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